IGBT PM50B5L1C060

Описание IGBT модуля PM50B5L1C060

PM50B5L1C060 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства Mitsubishi Electric, предназначенный для применения в силовой электронике, частотных преобразователях, инверторах и системах управления электродвигателями.

Модуль объединяет в одном корпусе IGBT-транзистор с антипараллельным диодом, обеспечивая эффективное управление высокими токами и напряжениями.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|----------------------------------| | Тип модуля | IGBT с диодом (NPT) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (Vces) | 600 В | | Номинальный ток (Ic @ 80°C) | 50 А | | Макс. импульсный ток (Icm) | 100 А | | Рассеиваемая мощность (Ptot) | ~200 Вт | | Падение напряжения (Vce(sat)) | ~1.8 В (тип.) | | Время включения (ton) | ~60 нс | | Время выключения (toff) | ~250 нс | | Температура перехода (Tj) | -40°C до +150°C | | Корпус | 25 мм (изолированный, с термопрокладкой) | | Вес | ~50 г |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные аналоги Mitsubishi Electric

• PM50B5L1C060 (основная модель)
• PM50B5L1C060F (модификация с улучшенными параметрами)

Совместимые модели других производителей

• Infineon: FF50R06KE3
• Fuji Electric: 6MBP50RA060
• SEMIKRON: SKM50GB063D
• ON Semiconductor: NGTB50N60FL2WG

Область применения

• Частотные преобразователи
• Инверторы для электродвигателей
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Промышленные сварочные аппараты
• Системы управления электроприводами

Примечания

• Перед заменой на аналог рекомендуется проверять распиновку и параметры.
• Для эффективного теплоотвода требуется радиатор с термопастой.
• Модуль чувствителен к статическому электричеству – соблюдайте ESD-меры.

Если нужны дополнительные данные (например, графики зависимостей или схемы включения), уточните запрос!