IGBT PM50B6L1C060

IGBT PM50B6L1C060
Артикул: 299243

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание IGBT PM50B6L1C060

Описание IGBT модуля PM50B6L1C060

PM50B6L1C060 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от компании Mitsubishi Electric, предназначенный для использования в мощных импульсных преобразователях, инверторах и системах управления электродвигателями. Модуль содержит встроенный диод обратного хода (антипараллельный диод) и обеспечивает высокую эффективность и надежность в силовой электронике.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------------|---------------------------------------| | Тип модуля | IGBT с диодом (NPT-IGBT + FRD) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 600 В | | Номинальный ток (IC при 25°C) | 50 А | | Импульсный ток (ICP) | 100 А | | Мощность рассеивания (Ptot) | ~200 Вт (зависит от условий охлаждения) | | Напряжение насыщения (VCE(sat)) | ~1,8 В (при IC = 50 А) | | Время включения (ton) | ~40 нс | | Время выключения (toff) | ~150 нс | | Тип корпуса | 6-контактный (серия L1) | | Температурный диапазон | -40°C … +150°C (Tj) | | Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | ~0,25 °C/Вт |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные парт-номера Mitsubishi:

  • PM50B6L1C060 (основная модель)
  • PM50B6L1C060-ND (версия для дистрибьюторов)

Совместимые аналоги (замены):

  • Infineon: FF50R06RT4
  • Fuji Electric: 6MBI50VB-060
  • SEMIKRON: SKM50GB063D
  • ON Semiconductor: NGTB50N60FL2WG

Применение

  • Преобразователи частоты (ЧРП)
  • Инверторы для электродвигателей
  • Источники бесперебойного питания (ИБП)
  • Сварочное оборудование
  • Солнечные инверторы

Примечание

При замене аналогами следует учитывать различия в характеристиках (токи, напряжения, тепловые параметры). Рекомендуется проверять разводку выводов и условия эксплуатации.

Если нужны дополнительные данные (графики, параметры диода и т. д.), уточните запрос.

Товары из этой же категории