IGBT PM50B6L1C060

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT PM50B6L1C060
Описание IGBT модуля PM50B6L1C060
PM50B6L1C060 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от компании Mitsubishi Electric, предназначенный для использования в мощных импульсных преобразователях, инверторах и системах управления электродвигателями. Модуль содержит встроенный диод обратного хода (антипараллельный диод) и обеспечивает высокую эффективность и надежность в силовой электронике.
Основные технические характеристики
| Параметр | Значение | |-------------------------------|---------------------------------------| | Тип модуля | IGBT с диодом (NPT-IGBT + FRD) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 600 В | | Номинальный ток (IC при 25°C) | 50 А | | Импульсный ток (ICP) | 100 А | | Мощность рассеивания (Ptot) | ~200 Вт (зависит от условий охлаждения) | | Напряжение насыщения (VCE(sat)) | ~1,8 В (при IC = 50 А) | | Время включения (ton) | ~40 нс | | Время выключения (toff) | ~150 нс | | Тип корпуса | 6-контактный (серия L1) | | Температурный диапазон | -40°C … +150°C (Tj) | | Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | ~0,25 °C/Вт |
Парт-номера и аналоги
Оригинальные парт-номера Mitsubishi:
- PM50B6L1C060 (основная модель)
- PM50B6L1C060-ND (версия для дистрибьюторов)
Совместимые аналоги (замены):
- Infineon: FF50R06RT4
- Fuji Electric: 6MBI50VB-060
- SEMIKRON: SKM50GB063D
- ON Semiconductor: NGTB50N60FL2WG
Применение
- Преобразователи частоты (ЧРП)
- Инверторы для электродвигателей
- Источники бесперебойного питания (ИБП)
- Сварочное оборудование
- Солнечные инверторы
Примечание
При замене аналогами следует учитывать различия в характеристиках (токи, напряжения, тепловые параметры). Рекомендуется проверять разводку выводов и условия эксплуатации.
Если нужны дополнительные данные (графики, параметры диода и т. д.), уточните запрос.