IGBT PM50B6LA060

Описание IGBT PM50B6LA060

IGBT PM50B6LA060 – это силовой транзистор с интегрированным обратным диодом (IGBT + FRD), предназначенный для высокоэффективного управления мощностью в инверторах, частотных преобразователях, сварочных аппаратах и других силовых электронных устройствах.

Ключевые особенности:

• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)).
• Высокая скорость переключения.
• Встроенный ультрабыстрый диод (FRD) для защиты от обратного напряжения.
• Высокая стойкость к перегрузкам и коротким замыканиям.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|-----------------------------| | Тип транзистора | IGBT + FRD (с обратным диодом) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Номинальный ток (I_C при 25°C) | 50 А | | Ток при 100°C (I_C) | 25 А | | Макс. импульсный ток (I_CM) | 100 А | | Падение напряжения V_CE(sat) | 1,8 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 35 нс | | Время выключения (t_off) | 150 нс | | Корпус | TO-247 (3-выводный) | | Диапазон рабочих температур | -55°C до +150°C | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,5 °C/Вт |

Парт-номера (аналоги и совместимые модели)

Прямые аналоги:

• IRG4PH50UDPBF (International Rectifier)
• FGA50N60SMD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG50N60A4D (Microsemi)

Совместимые модели (схожие параметры):

• PM75B6LA060 (75 А, 600 В)
• PM25B6LA060 (25 А, 600 В)
• PM50B6LD060 (аналог с другим корпусом)
• IXGH50N60B3D1 (IXYS)

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы
• Сварочное оборудование
• Управление электродвигателями
• Импульсные источники питания

Если нужна дополнительная информация по замене или спецификации, уточните условия эксплуатации.