IGBT PM50CL1B060

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT PM50CL1B060
Описание IGBT PM50CL1B060
IGBT PM50CL1B060 – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике. Модуль сочетает в себе высокую эффективность, низкие потери проводимости и переключения, а также устойчивость к перегрузкам.
Применяется в:
- Преобразователях частоты (ЧРП)
- Инверторах
- Сварочных аппаратах
- Промышленных системах управления электроприводами
Технические характеристики
| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип | IGBT модуль (NPT, Trench Gate) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 600 В |
| Макс. ток коллектора (IC) | 50 А |
| Пиковый ток (ICM) | 100 А |
| Рассеиваемая мощность (Ptot) | 200 Вт |
| Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 1.8 В (при 25 А) |
| Время включения (ton) | 40 нс |
| Время выключения (toff) | 150 нс |
| Корпус | TO-247 (или аналогичный) |
| Рабочая температура | -40°C ... +150°C |
Парт-номера и аналоги
Оригинальные парт-номера (Mitsubishi Electric / Powerex):
- PM50CL1B060 (основной номер)
- CM50CL1B060 (возможный вариант от другого производителя)
Совместимые / аналогичные модели:
- IRG4PH50UD (International Rectifier, 600V, 45A)
- FGA50N60SMD (Fairchild/ON Semi, 600V, 50A)
- HGTG50N60A4D (Microsemi, 600V, 50A)
- STGW50H60DF (STMicroelectronics, 600V, 50A)
Примечания
- Перед заменой аналогом рекомендуется проверять распиновку и характеристики.
- Для оптимальной работы рекомендуется использовать фирменные драйверы затвора.
- При монтаже обеспечьте хороший теплоотвод (радиатор + термопаста).
Если нужны дополнительные данные (графики, схемы подключения), уточните!