IGBT PM50CL1B060

Описание IGBT PM50CL1B060

IGBT PM50CL1B060 – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике. Модуль сочетает в себе высокую эффективность, низкие потери проводимости и переключения, а также устойчивость к перегрузкам.

Применяется в:

• Преобразователях частоты (ЧРП)
• Инверторах
• Сварочных аппаратах
• Промышленных системах управления электроприводами

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип | IGBT модуль (NPT, Trench Gate) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Макс. ток коллектора (I_C) | 50 А |
| Пиковый ток (I_CM) | 100 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 200 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1.8 В (при 25 А) |
| Время включения (t_on) | 40 нс |
| Время выключения (t_off) | 150 нс |
| Корпус | TO-247 (или аналогичный) |
| Рабочая температура | -40°C ... +150°C |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные парт-номера (Mitsubishi Electric / Powerex):

• PM50CL1B060 (основной номер)
• CM50CL1B060 (возможный вариант от другого производителя)

Совместимые / аналогичные модели:

• IRG4PH50UD (International Rectifier, 600V, 45A)
• FGA50N60SMD (Fairchild/ON Semi, 600V, 50A)
• HGTG50N60A4D (Microsemi, 600V, 50A)
• STGW50H60DF (STMicroelectronics, 600V, 50A)

Примечания

• Перед заменой аналогом рекомендуется проверять распиновку и характеристики.
• Для оптимальной работы рекомендуется использовать фирменные драйверы затвора.
• При монтаже обеспечьте хороший теплоотвод (радиатор + термопаста).

Если нужны дополнительные данные (графики, схемы подключения), уточните!