IGBT PM50RL1A120

Описание IGBT PM50RL1A120

PM50RL1A120 – это IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором) в корпусе TO-247, предназначенный для высоковольтных и высокочастотных приложений. Используется в импульсных источниках питания, инверторах, сварочных аппаратах, электроприводах и других силовых электронных устройствах.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |---------------------------|-----------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 50 А | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | 25 А | | Максимальная рассеиваемая мощность (P_D) | 300 Вт | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В | | Пороговое напряжение затвора (V_GE(th)) | 4,0 – 6,0 В | | Время включения (t_on) | 45 нс | | Время выключения (t_off) | 220 нс | | Корпус | TO-247 (3-выводной) | | Диод обратного восстановления (FRD) | Встроенный | | Тип кристалла | NPT (Non-Punch Through) |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• H50R1202 (Infineon)
• GT50QR120 (Genesic Semiconductor)
• FGA50N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)

Близкие по характеристикам:

• PM75RL1A120 (75 А / 1200 В)
• PM25RL1A120 (25 А / 1200 В)
• IXGH50N120 (IXYS)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Импульсные блоки питания
• Системы управления электродвигателями

Если вам нужна замена, обратите внимание на напряжение, ток и скорость переключения – они должны быть близкими к оригиналу. Для точного подбора лучше проверить datasheet аналога.