IGBT PM50RLA120

Описание IGBT PM50RLA120

PM50RLA120 — это IGBT-транзистор с напряжением коллектор-эмиттер 1200 В и номинальным током 50 А, предназначенный для применения в силовой электронике. Модуль сочетает высокую эффективность, низкие потери при переключении и хорошую термостабильность. Используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и других системах управления мощностью.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|-----------------------------------| | Тип устройства | IGBT + обратный диод | | Напряжение V_CES | 1200 В | | Ток I_C (при 25°C) | 50 А (непрерывный) | | Ток I_CM (импульсный) | 100 А (макс.) | | Напряжение насыщения V_CE(sat) | 2.5 В (тип.) | | Потери при переключении | Низкие (оптимизированы для частот до 20 кГц) | | Корпус | TO-247 (или аналогичный) | | Температура работы | от -40°C до +150°C | | Скорость переключения | Высокая (подходит для PWM) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: IKW50N120T2, IKW50N120H3
• Fuji Electric: 2MBI50N-120
• Mitsubishi: CM50DY-12H
• SEMIKRON: SKM50GB12T4
• IXYS: IXGH50N120B3

Парт-номера производителя (оригинальные и варианты):

• PM50RLA120 (основная модель)
• PM50RLA120-ND (версия для определенных поставщиков)
• PM50RL1A120 (альтернативное обозначение у некоторых дистрибьюторов)

Примечания по замене

При подборе аналога учитывайте:

• Напряжение V_CES (должно быть не ниже 1200 В).
• Ток I_C (рекомендуется ≥50 А).
• Тип корпуса (TO-247 для прямого монтажа).
• Наличие встроенного обратного диода.

Если требуется модуль в другом форм-факторе (например, для драйверов), можно рассмотреть SKM50GB12T4 (SEMIKRON) или 2MBI50N-120 (Fuji) в корпусе модуля.

Нужна дополнительная информация по применению или драйверам? Готов уточнить!