IGBT PM75RHA060

Описание IGBT модуля PM75RHA060

PM75RHA060 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) с номинальным током 75А и напряжением 600В, предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов и промышленных приводов. Модуль объединяет в одном корпусе IGBT-транзисторы с защитными диодами, обеспечивая высокую эффективность и надежность в силовых электронных системах.

Технические характеристики

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В
• Номинальный ток (I_C при 25°C): 75 А
• Ток коллектора (I_C при 100°C): 50 А
• Максимальный импульсный ток (I_CP): 150 А
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 1,7 В (тип.)
• Скорость переключения: высокая (оптимизирована для частот до 20 кГц)
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0,25 °C/Вт
• Корпус: модуль с изолированным основанием (подходит для радиатора)
• Рабочая температура: от -40°C до +150°C

Встроенные компоненты

• 2 x IGBT (N-канальные)
• 2 x быстрые обратные диоды (FRD)

Парт-номера и аналоги

Оригинальные номера Mitsubishi (или других производителей):

• PM75RHA060 (оригинальный)
• PM75RSA060 (аналог с другими параметрами корпуса)
• CM75DY-24H (аналог от Powerex)

Совместимые модели (аналоги от других брендов):

• Infineon: FF75R12KE3
• Fuji Electric: 6MBI75V-060
• SEMIKRON: SKM75GB12T4
• ON Semiconductor: NGTB75N60FL2WG

Применение

• Промышленные инверторы
• Системы управления двигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочные аппараты

Если вам нужна более точная замена, рекомендуется сверить параметры V_CES, I_C и тепловые характеристики.