IGBT PM75RL1A-120

Описание и технические характеристики IGBT модуля PM75RL1A-120

Производитель: Mitsubishi Electric (возможны другие варианты, уточните производителя)
Тип: IGBT-модуль с диодом обратного хода (NPT-IGBT + FRD)
Назначение: Управление мощными нагрузками в инверторах, частотных преобразователях, сварочных аппаратах и промышленных системах.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Максимальный ток коллектора (I_C) при 25°C | 75 А | | Максимальный импульсный ток (I_CP) | 150 А | | Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | ~2,1 В (при 75 А) | | Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot) | 300 Вт | | Встроенный диод (FRD) | Да | | Максимальное обратное напряжение диода (V_RRM) | 1200 В | | Время включения (t_on) | ~50 нс | | Время выключения (t_off) | ~200 нс | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,25 °C/Вт | | Рабочая температура | -40°C до +150°C | | Корпус | Стандартный модуль (изолированное основание) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и совместимые замены:

• Mitsubishi: CM75DY-12H, CM75DY-24H (аналоги с другим напряжением)
• Infineon: FF75R12RT4, FF75R12KE3
• Fuji Electric: 2MBI75L-120
• SEMIKRON: SKM75GB12T4
• ON Semiconductor: NGTB75N120H2

Cross-reference:

Проверьте соответствие по datasheet, так как параметры могут отличаться по динамическим характеристикам, корпусу и тепловым режимам.

Примечания:

• Для точного подбора аналога учитывайте:
  • Напряжение и токовые характеристики
  • Тип корпуса и монтажные отверстия
  • Наличие встроенного диода
  • Тепловые параметры
• Рекомендуется проверять datasheet оригинального производителя перед заменой.

Если у вас есть дополнительные данные о производителе или сфере применения, уточните – это поможет подобрать более точный аналог.