IGBT PM75RSD120

Описание IGBT модуля PM75RSD120

PM75RSD120 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) с интегрированным диодом обратного хода (антипараллельный диод), предназначенный для высоковольтных и сильноточных приложений, таких как:

• Преобразователи частоты
• Инверторы
• Промышленные приводы
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Модуль обладает высокой эффективностью и надежностью, что делает его популярным в промышленной электронике.

Технические характеристики PM75RSD120

| Параметр | Значение | |------------------------------|----------------------------------| | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток (I_C) | 75 А при 25°C, 150 А при кратковременной нагрузке | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,1 В (тип.) | | Макс. мощность рассеяния (P_tot) | 390 Вт | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,32 °C/Вт | | Встроенный диод | Да (Fast Recovery Diode) | | Обратное напряжение диода (V_RRM) | 1200 В | | Время восстановления диода (t_rr) | < 200 нс | | Корпус | Трехполюсный (Transistor Module) | | Вес | ~100 г |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от других производителей (замена PM75RSD120)

• Infineon: FF75R12RT4
• Mitsubishi: CM75DY-12H
• Fuji Electric: 2MBI75N-120
• SEMIKRON: SKM75GB12T4
• IXYS: IXGH75N120

Совместимые модели в линейке Powerex / Mitsubishi

• PM75RSE120 (аналогичный, с улучшенными характеристиками)
• PM50RSD120 (меньший ток, 50 А)
• PM100RSD120 (больший ток, 100 А)

Применение и особенности

• Высокое напряжение (до 1200 В) подходит для промышленных приводов.
• Быстрое переключение (малые потери при коммутации).
• Встроенный температурный датчик (в некоторых версиях).
• Рекомендуется использовать с радиатором для эффективного охлаждения.

Если вам нужно подобрать аналог или уточнить параметры для конкретного применения, уточните условия работы (частота коммутации, температура окружающей среды и т. д.).