IGBT PO80A22003

Описание IGBT PO80A22003

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) PO80A22003 – это высоковольтный силовой транзистор, предназначенный для управления большими токами в импульсных источниках питания, инверторах, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-----------------------------|----------------------------|
| Тип устройства | IGBT (N-канальный) |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 2200 В |
| Ток коллектора (I_C) | 80 А (при 25°C) |
| Ток импульсный (I_CM) | 160 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | ~300–400 Вт (с учетом охлаждения) |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Время включения/выключения (t_on/t_off) | нс/мкс диапазон (уточняется в даташите) |
| Корпус | TO-247 (возможны вариации) |
| Температурный диапазон | -40°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и альтернативные модели:

• Infineon: IHW20N120R3, IKW40N120H3
• Fuji Electric: 2MBI200U2A-120
• Mitsubishi: CM200DY-24A
• STMicroelectronics: STGW40H120DF2
• SEMIKRON: SKM200GB124D

Совместимые модули (если PO80A22003 в составе модуля):

• Сборки IGBT: FF200R12KE3 (Infineon), CM300DY-24A (Mitsubishi)
• Инверторные модули: SKiiP 122 (SEMIKRON)

Применение

• Промышленные частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Управление электродвигателями
• Системы возобновляемой энергетики (инверторы для солнечных панелей)

Примечание

Для точных характеристик рекомендуется проверять даташит производителя, так как параметры могут отличаться в зависимости от модификации и производителя. Если у вас есть дополнительная маркировка или производитель (например, Powerex, Mitsubishi), уточните – это поможет подобрать более точный аналог.

Нужна помощь с поиском аналогов или схем включения? Готов помочь!