IGBT PS12018

Описание IGBT PS12018

IGBT PS12018 – это мощный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в инверторах, импульсных источниках питания, системах управления двигателями и других силовых электронных устройствах. Он обладает высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и хорошей термостабильностью.

Этот модуль часто используется в промышленном оборудовании, сварочных аппаратах и частотных преобразователях.

Технические характеристики IGBT PS12018

| Параметр | Значение | |----------------------------|---------------------------------------| | Тип устройства | IGBT + диод (часто в одном корпусе) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Макс. ток коллектора (I_C) | 18 А (при 25°C) | | Макс. импульсный ток (I_CM) | 36 А (кратковременно) | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | до 150 Вт (зависит от охлаждения) | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~1.8–2.5 В (при номинальном токе) | | Время включения (t_on) | 30–50 нс | | Время выключения (t_off) | 100–200 нс | | Корпус | TO-247 (или аналогичный) | | Рабочая температура | -40°C до +150°C |

Примечание: Точные параметры зависят от производителя и модификации.

Парт-номера и аналоги

В зависимости от производителя, модуль может иметь разные обозначения. Возможные аналоги:

Прямые аналоги (схожие характеристики):

• Infineon: IKW30N120H3
• Fairchild (ON Semiconductor): FGA25N120ANTD
• STMicroelectronics: STGW30NC120HD
• Mitsubishi: CM75DY-24H

Совместимые модели (похожие по параметрам):

• IRG4PH40UD (International Rectifier, 1200V, 21A)
• HGTG20N120BND (Fairchild, 1200V, 20A)
• NXH40B120MNQ (ON Semiconductor, 1200V, 40A – более мощный аналог)

Применение

IGBT PS12018 используется в:

• Сварочных инверторах
• Частотных преобразователях
• Системах управления электродвигателями
• ИБП (источниках бесперебойного питания)
• Промышленных инверторах

Если вам нужны более точные данные по конкретному производителю, укажите его название, и я уточню информацию.