IGBT PT518

Описание IGBT PT518

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) PT518 — это силовой полупроводниковый модуль, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и промышленных системах управления.

Модуль сочетает преимущества MOSFET (высокую скорость переключения) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии), что делает его эффективным решением для мощных импульсных схем.

Технические характеристики IGBT PT518

| Параметр | Значение | |-----------------------------|--------------------------------------| | Тип транзистора | NPT IGBT | | Коллектор-эмиттер напряжение (V_CES) | 1200 В (или уточнить по даташиту) | | Ток коллектора (I_C) | 50–100 А (зависит от модификации) | | Ток импульсный (I_CM) | До 150–200 А (кратковременно) | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,8–2,5 В (при номинальном токе) | | Скорость переключения | 20–100 нс (зависит от драйвера) | | Корпус | TO-247, TO-3P (или модульный вариант) | | Температура хранения | -40°C до +125°C | | Рабочая температура | -20°C до +150°C (с теплоотводом) |

Примечание: Точные параметры зависят от производителя. Рекомендуется проверять datasheet конкретной модификации.

Парт-номера и аналоги

Прямые замены и аналоги:

• IRG4PH50UD (International Rectifier, 1200V, 55A)
• FGA25N120ANTD (Fairchild, 1200V, 25A)
• HGTG30N120B3D (Microsemi, 1200V, 30A)
• IXGH48N60B3D1 (IXYS, 600V, 48A)

Совместимые модели в схемах:

• Сварочные инверторы: Kemppi, ESAB, Ресанта (в зависимости от схемотехники).
• Частотные преобразователи: Delta, Siemens, Danfoss (в блоках IGBT-модулей).
• Промышленные инверторы: Mitsubishi, Infineon, Fuji Electric.

Примечания

1. Перед заменой проверьте распиновку и параметры драйвера управления.
2. Для мощных систем обязателен монтаж на радиатор с термопастой.
3. Рекомендуемые драйверы: IR2110, HCPL-316J (оптронные с защитой).

Если у вас есть конкретное применение или производитель модуля PT518, уточните детали для более точного подбора аналогов.