IGBT qf20aa60

Описание IGBT QF20AA60

QF20AA60 — это изолированный биполярный транзистор с MOSFET-затвором (IGBT), предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов и других силовых электронных устройств. Он обладает высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и хорошей термостабильностью.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|----------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 20 А (непрерывный) | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | 10 А | | Импульсный ток (I_CM) | 40 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.0 В (при I_C = 20 А) | | Рассеиваемая мощность (P_D) | 100 Вт | | Время включения (t_on) | 50 нс | | Время выключения (t_off) | 150 нс | | Температура перехода (T_j) | от -55°C до +150°C | | Корпус | TO-247 (3-выводной) |

Парт-номера (аналоги и совместимые модели)

Прямые аналоги:

• IRG4PH40UD (International Rectifier)
• H20R1203 (Fairchild Semiconductor)
• FGA20N60 (ON Semiconductor)
• STGW20NC60V (STMicroelectronics)

Частично совместимые (требуется проверка схемы):

• IXGH20N60A (IXYS)
• GT20J101 (Toshiba)
• APT20GR60J (Microsemi)

Применение

• Инверторы и преобразователи частоты
• Импульсные источники питания (SMPS)
• Драйверы двигателей
• Сварочные аппараты

Если вам нужна более точная информация, уточните производителя (например, Mitsubishi, Infineon и т. д.), так как маркировка IGBT может отличаться у разных брендов.