IGBT QM100DYH

Описание IGBT QM100DYH

QM100DYH – это IGBT-транзистор с интегрированным обратным диодом, разработанный для мощных импульсных преобразователей, инверторов, сварочного оборудования и других высоковольтных приложений. Модуль обеспечивает высокую эффективность, низкие потери при переключении и хорошую термическую стабильность.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Производитель | Fuji Electric (возможны аналоги других брендов) |
| Тип | IGBT + диод (NPT-технология) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Постоянный ток коллектора (I_C) | 100 А |
| Импульсный ток (I_CM) | 200 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 500 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.5 В (при 100 А) |
| Время включения (t_on) | 90 нс |
| Время выключения (t_off) | 350 нс |
| Корпус | модуль (Isolated) |
| Рабочая температура | -40°C … +150°C |

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги:

• Fuji Electric: QM100DY-H (полное название)
• Mitsubishi: CM100DY-24H
• Infineon: FF100R12KT4
• SEMIKRON: SKM100GB128D

Совместимые модели (схожие параметры):

• IRG4PH50UD (International Rectifier, 1200V, 55A)
• HGTG20N120BND (ON Semiconductor, 1200V, 40A)
• IXGH100N60B3 (IXYS, 600V, 100A, для низковольтных аналогов)

Применение

• Силовые инверторы (в т.ч. для солнечных электростанций)
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• Импульсные блоки питания

Примечание

Перед заменой на аналог проверяйте распиновку и характеристики по даташиту, особенно параметры V_CE, I_C и тепловое сопротивление.

Если нужны дополнительные данные (например, графики зависимостей или примеры схем), уточните запрос!