IGBT QM100HY-H

Описание IGBT QM100HY-H

QM100HY-H — это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для применения в мощных импульсных преобразователях, инверторах, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах. Модуль сочетает высокую переключательную способность, низкие потери и надежность в компактном корпусе с изолированным основанием.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |---------------------------|-----------------------------| | Тип модуля | IGBT + диод (Half-Bridge) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Номинальный ток (I_C) | 100 А (при 25°C) | | Макс. импульсный ток (I_CM) | 200 А | | Мощность рассеивания (P_tot) | 300 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ≤ 2.1 В | | Время включения/выключения (t_on/t_off) | 50 нс / 150 нс | | Температура хранения/работы | -40°C до +150°C | | Корпус | Изолированный (с термопрокладкой) | | Вес | ~100 г |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные номера:

• QM100HY-H (базовая модель)
• QM100HY-H1 (модификация с улучшенными характеристиками)

Совместимые модели и аналоги:

• Infineon: FF100R06KE3
• Mitsubishi: CM100DY-24H
• Fuji Electric: 2MBI100U4A-060
• SEMIKRON: SKM100GB063D

Применение

• Промышленные частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Электроприводы и системы управления двигателями

Примечание

Перед заменой на аналог проверяйте распиновку и характеристики, так как у разных производителей могут быть отличия в схемотехнике и охлаждении. Для точного подбора рекомендуем обращаться к даташитам производителей.

Если вам нужна дополнительная информация (например, схема подключения или графики зависимости тока от температуры), уточните запрос!