IGBT QM100HY-HD

Описание IGBT модуля QM100HY-HD

QM100HY-HD – это высоковольтный IGBT-модуль с интегрированным диодом обратного хода (FRD), предназначенный для применения в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и других силовых электронных системах. Модуль обеспечивает высокую эффективность, низкие потери и стабильную работу в жестких условиях эксплуатации.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C @25°C): 100 А
• Ток коллектора (I_C @100°C): 50 А
• Импульсный ток коллектора (I_CM): 200 А
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 2,1 В (тип.)
• Время включения (t_on): 50 нс (тип.)
• Время выключения (t_off): 200 нс (тип.)
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0,25 °C/Вт
• Корпус: модуль с изолированным основанием

Диодные характеристики:

• Обратное напряжение (V_RRM): 1200 В
• Прямой ток (I_F): 100 А
• Импульсный прямой ток (I_FSM): 200 А
• Прямое падение напряжения (V_F): 1,8 В (тип.)

Температурный режим:

• Рабочая температура (T_j): -40°C…+150°C
• Температура хранения: -40°C…+125°C

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и эквиваленты:

• Infineon: FF100R12KT4
• Mitsubishi: CM100DY-24H
• Fuji Electric: 2MBI100U4A-120
• SEMIKRON: SKM100GB12T4

Совместимые модели (схожие по параметрам):

• QM75HY-HD (75A)
• QM150HY-HD (150A)
• QM200HY-HD (200A)

Применение

• Частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Управление электродвигателями

Модуль QM100HY-HD отличается высокой надежностью и подходит для замены в ряде промышленных устройств. При выборе аналога важно учитывать параметры V_CES и I_C.

Если нужны дополнительные данные (например, графики характеристик), уточните запрос!