IGBT QM100TF-HB

Описание IGBT модуля QM100TF-HB

QM100TF-HB – это высоковольтный IGBT-модуль с интегрированным диодом обратного хода (FRD), предназначенный для применения в мощных преобразователях частоты, инверторах, источниках бесперебойного питания (ИБП) и промышленных системах управления. Модуль обладает высокой эффективностью, низкими коммутационными потерями и хорошей тепловой стабильностью.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C) | 100 А |
| Ток коллектора (импульсный, I_CM) | 200 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 300 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1.8 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 45 нс |
| Время выключения (t_off) | 120 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C ~ +150°C |
| Корпус | Стандартный, изолированный (TO-247 или аналогичный) |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные парт-номера:

• QM100TF-HB (базовая модель)
• QM100TF-HB-R (модификация с улучшенным теплоотводом)

Совместимые модели и аналоги от других производителей:

1. Infineon:
   • IKW75N60T (75 А, 600 В)
   • IKW100N60T (100 А, 600 В)
2. Fuji Electric:
   • 2MBI100U4A-060 (100 А, 600 В)
3. Mitsubishi Electric:
   • CM100TU-24NFH (100 А, 600 В)
4. STMicroelectronics:
   • STGW100H60DF (100 А, 600 В)

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы для сварочных аппаратов
• Управление электродвигателями
• ИБП и солнечные инверторы

Примечание

Перед заменой на аналог рекомендуется проверять распиновку и характеристики, так как параметры могут незначительно отличаться.

Если нужна дополнительная информация по конкретному аналогу, уточните условия применения (частота, нагрузка, охлаждение).