IGBT QM10HA-HD

Описание IGBT QM10HA-HD

IGBT QM10HA-HD – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный для мощных импульсных и силовых электронных устройств. Модуль обладает высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и высокой температурной стабильностью.

Применяется в:

• Инверторах и преобразователях частоты
• Системах управления электродвигателями
• Источниках бесперебойного питания (ИБП)
• Промышленном оборудовании

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип устройства | NPT IGBT + диод (модуль) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Номинальный ток (I_C) | 10 А (при 25°C) | | Ток коллектора (макс.) | 20 А (пиковый) | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 50 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1.8 В (тип.) | | Время переключения (t_on/t_off) | 30 нс / 100 нс | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 1.25 °C/Вт | | Корпус | TO-247 (или аналогичный) | | Защита | Встроенный обратный диод |

Альтернативные и совместимые модели

Парт-номера (аналоги)

• IRG4PH40UD (International Rectifier)
• FGA15N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• STGW30NC60WD (STMicroelectronics)
• IXGH10N60B3D1 (IXYS)

Совместимые модели

• QM10HB-HD (аналог с повышенным током)
• QM10HC-HD (версия с улучшенным теплоотводом)
• HGTG10N60A4D (от Renesas)

Примечание

Перед заменой проверяйте распиновку и характеристики, так как параметры могут незначительно отличаться. Для точного соответствия рекомендуется использовать оригинальный модуль QM10HA-HD или проверенные аналоги от известных производителей.

Если нужны дополнительные данные (графики, схемы подключения), уточните запрос!