IGBT QM10HB2H

Описание IGBT QM10HB2H

IGBT QM10HB2H – это транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высокочастотных и высоковольтных применений, таких как инверторы, импульсные источники питания, электроприводы и сварочное оборудование.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (V_CES)
• Низкие динамические потери
• Быстрое переключение
• Встроенный обратный диод (FWD)
• Пластиковый корпус с низким тепловым сопротивлением

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-------------------------|----------|
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Макс. ток коллектора (I_C) при 25°C | 10 А |
| Макс. импульсный ток (I_CM) | 20 А |
| Макс. напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Пороговое напряжение затвора (V_GE(th)) | 4,0–6,0 В |
| Потери мощности (P_tot) | 50 Вт |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 2,5 °C/Вт |
| Время включения/выключения (t_on/t_off) | 30/150 нс |
| Встроенный диод (FWD) | Да |
| Корпус | TO-247 (3-выводной) |

Парт-номера и совместимые модели

Парт-номера (альтернативные обозначения):

• QM10HB2H (оригинальный номер)
• IRG4PH50UD (аналог от International Rectifier)
• HGTG10N120BND (аналог от ON Semiconductor)
• FGA10N120ANTD (аналог от Fairchild/ON Semi)

Совместимые модели (по характеристикам):

• IRGP4063DPBF (аналог с близкими параметрами)
• STGW30H120DF2 (усиленный аналог)
• IXGH10N120B3 (аналог от IXYS)

Применение

• Инверторы и преобразователи частоты
• Импульсные блоки питания
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями

Если вам нужны аналоги с другими параметрами (например, больший ток или другое напряжение), уточните требования – помогу подобрать замену.