IGBT QM150DY24

Описание IGBT QM150DY24

QM150DY24 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor), предназначенный для мощных силовых преобразований в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и других промышленных приложениях. Модуль имеет встроенный обратный диод, что обеспечивает эффективную коммутацию и защиту от перенапряжений.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | IGBT с обратным диодом |
| Конфигурация | Один транзистор (1 в 1) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C) | 150 А |
| Импульсный ток (I_CP) | 300 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 600 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,5 В (при I_C = 150 А) |
| Время включения (t_on) | 60 нс |
| Время выключения (t_off) | 300 нс |
| Встроенный диод | Да (FRD) |
| Корпус | модульный (изолированный) |
| Температура хранения | -40°C … +125°C |
| Рабочая температура | -25°C … +100°C |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные парт-номера:

• QM150DY24 (оригинал от производителя)

Совместимые аналоги и замены:

• CM150DY-24H (Mitsubishi)
• FF150R12KE3 (Infineon)
• FZ150R12KE3 (Infineon)
• MG150Q1US41 (Toshiba)
• SKM150GB12T4 (Semikron)

Применение

• Промышленные инверторы
• Частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Электроприводы

Если вам нужна дополнительная информация по заменам или специфическим условиям эксплуатации, уточните параметры вашего устройства.