IGBT QM150DYHK

Описание IGBT QM150DYHK

QM150DYHK — это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для применения в мощных преобразовательных устройствах, таких как инверторы, частотные приводы, сварочное оборудование и системы управления электродвигателями. Модуль сочетает высокую эффективность, низкие потери на переключение и хорошую термостабильность.

Технические характеристики

• Тип модуля: IGBT + диод (2 в 1)
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C): 150 А (при 25°C)
• Ток импульсный (I_CP): до 300 А
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): ~1.8 В (при номинальном токе)
• Потери на переключение (E_on/E_off): низкие (уточняйте в даташите)
• Температурный диапазон: -40°C до +150°C
• Корпус: изолированный (например, NGB или аналогичный)
• Термическое сопротивление (R_th(j-c)): ~0.25 °C/Вт

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги QM150DYHK:

1. Infineon: FF150R12KE3, FF150R12KT3
2. Fuji Electric: 2MBI150U2A-120
3. Mitsubishi: CM150DY-12H
4. SEMIKRON: SKM150GB12T4
5. Powerex (Mitsubishi): CM150DY-24H (для 1200В)

Близкие по параметрам:

• IR (Infineon): IRG4PH50UD (отдельный IGBT, не модуль)
• Toshiba: MG150Q1US41

Примечания

• Перед заменой проверяйте распиновку и характеристики в даташите.
• Для точного аналога учитывайте:
  • Напряжение (1200В),
  • Ток (150А),
  • Конструкцию корпуса (изолированный/неизолированный).

Если нужен даташит или уточнение параметров — укажите, помогу найти!