IGBT QM15KD1HB

Описание IGBT QM15KD1HB

QM15KD1HB — это IGBT-транзистор с напряжением 1500 В и током коллектора 15 А, предназначенный для высоковольтных и высокочастотных приложений, таких как:

• Промышленные инверторы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Электроприводы и двигатели
• Сварочное оборудование
• Солнечные инверторы

Транзистор имеет низкое падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) и высокую скорость переключения, что делает его энергоэффективным решением.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1500 В |
| Ток коллектора (I_C) | 15 А |
| Ток импульсный (I_CM) | 30 А |
| Мощность рассеивания (P_D) | 100 Вт |
| Падение напряжения V_CE(sat) | 2.5 В (при I_C = 15 А) |
| Время включения (t_on) | 35 нс |
| Время выключения (t_off) | 150 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 (изолированный или неизолированный, уточнять у производителя) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IRG4PH50UD (International Rectifier, 1200 В, 21 А)
• FGA15N120ANTD (Fairchild, 1200 В, 15 А)
• HGTG20N120CND (Microsemi, 1200 В, 20 А)
• IXGH15N160 (IXYS, 1600 В, 15 А)

Совместимые модели от других производителей:

• STGW15NC120HD (STMicroelectronics, 1200 В, 15 А)
• APT15GR120J (Microchip, 1200 В, 15 А)
• MGW15H120 (Littelfuse, 1200 В, 15 А)

Примечание

При замене на аналог необходимо учитывать:

• Напряжение (V_CES) должно быть не ниже оригинала.
• Ток (I_C) должен быть аналогичным или выше.
• Корпус (TO-247, TO-3P и т. д.) должен совпадать.

Для точной совместимости рекомендуется проверять datasheet заменяемой модели.

Если нужны дополнительные параметры (например, графики зависимостей), уточните!