IGBT QM15TB2H

IGBT QM15TB2H: Описание и технические характеристики

Описание:
IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) QM15TB2H – это мощный полупроводниковый прибор, предназначенный для коммутации высоких токов и напряжений в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и других силовых электронных устройствах. Модуль сочетает высокую скорость переключения с низкими потерями проводимости.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | IGBT + диод (полумаodule) |
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Максимальный ток коллектора (I_C) | 15 А |
| Ток короткого замыкания (I_SC) | 30 А (макс.) |
| Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot) | 75 Вт |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 1,8 В (при 15 А) |
| Время включения (t_on) | 35 нс |
| Время выключения (t_off) | 180 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 (3-выводной) |

Эквиваленты и совместимые модели:

• Прямые аналоги:

  • IRG4PH50UD (International Rectifier)
  • FGA15N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
  • HGTG15N60A4 (STMicroelectronics)
  • IXGH15N60B (IXYS)

• Похожие по характеристикам:

  • IRGP4063DPBF (600 В, 24 А)
  • STGW30H60DF (600 В, 30 А)

Применение:

• Частотные преобразователи
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочные инверторы
• Управление электродвигателями

Если вам нужна замена, обратите внимание на аналоги с близкими параметрами V_CES и I_C. Для точной совместимости лучше проверять datasheet.

Нужна дополнительная информация?