IGBT QM15TD-9

IGBT QM15TD-9: Описание и технические характеристики

Описание

IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) QM15TD-9 — это силовой полупроводниковый прибор, предназначенный для применения в инверторах, импульсных источниках питания, системах управления двигателями и других мощных электронных устройствах. Данная модель обладает высокой переключательной способностью, низкими потерями и хорошей температурной стабильностью.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|------------------------------------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 900 В |
| Ток коллектора (I_C) | 15 А |
| Ток импульсный (I_CM) | 30 А |
| Рассеиваемая мощность (P_D) | 75 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Пороговое напряжение затвора (V_GE(th)) | 5,5 В |
| Время включения (t_on) | 35 нс |
| Время выключения (t_off) | 110 нс |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 1,67 °C/Вт |
| Температура перехода (T_j) | -40 °C ... +150 °C |
| Корпус | TO-247 (или аналогичный) |

Парт-номера и совместимые модели

IGBT QM15TD-9 может быть заменён следующими аналогами:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA15N90 (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG15N90A4D (Microsemi)
• STGW15NC90HD (STMicroelectronics)
• IXGH15N90A (IXYS)

Применение

• Преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• Импульсные блоки питания
• Системы управления электродвигателями

Для точной проверки совместимости рекомендуется сверяться с даташитами производителей, так как параметры могут незначительно отличаться.

Если вам нужна дополнительная информация, уточните область применения или требуемые аналоги.