IGBT QM15TD9B

IGBT QM15TD9B: Описание и технические характеристики

Описание

IGBT QM15TD9B – это транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в мощных импульсных преобразователях, инверторах, сварочном оборудовании и системах управления двигателями. Обладает высокой эффективностью, низкими коммутационными потерями и высокой устойчивостью к перегрузкам.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |------------------------|---------| | Тип транзистора | N-канальный IGBT с диодом | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 900 В | | Ток коллектора (I_C) | 15 А (при 25°C) | | Максимальный импульсный ток (I_CM) | 30 А | | Мощность рассеивания (P_D) | 100 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,0 В (при I_C = 15 А) | | Время включения (t_on) | 50 нс | | Время выключения (t_off) | 300 нс | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Корпус | TO-247 (3-выводный) |

Встроенный диод

• Обратное напряжение (V_RRM): 900 В
• Прямой ток (I_F): 15 А

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IRG4PC50UD (International Rectifier)
• FGA15N90 (Fairchild/ON Semiconductor)
• STGW15NC90HD (STMicroelectronics)
• HGTG15N90CND (ON Semiconductor)

Прямые аналоги от других производителей:

• IXGH15N90B (IXYS)
• APT15GP90B (Microsemi)
• NGTB15N90FL2WG (ON Semiconductor)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Импульсные источники питания
• Системы управления электродвигателями

Если требуется точная замена, рекомендуется сверить datasheet, так как параметры (особенно динамические характеристики) могут незначительно отличаться.