IGBT QM15TD-H

Описание IGBT QM15TD-H

QM15TD-H – это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT), разработанный для высокоэффективного управления мощностью в различных электронных устройствах. Модуль обеспечивает высокую скорость переключения, низкие потери проводимости и хорошую температурную стабильность.

Основные области применения:

• Инверторы и преобразователи частоты
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Системы управления двигателями
• Промышленные и бытовые устройства с высокими требованиями к энергоэффективности

Технические характеристики QM15TD-H

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип устройства | IGBT модуль (NPT-технология) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Макс. ток коллектора (I_C) | 15 А | | Ток коллектора (импульсный) | 30 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1.8 В (при 15 А) | | Энергия переключения (E_on + E_off) | ~50–80 мкДж | | Макс. температура перехода (T_j) | 150°C | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | ~0.75 °C/Вт | | Корпус | TO-247 (или аналогичный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: IKW15N60T, IKW15N60H3
• Fairchild/ON Semi: FGH15N60SFD
• STMicroelectronics: STGW15NC60WD
• Toshiba: GT15Q101

Совместимые модели в линейке производителя (если известны):

• QM10TD-H (10 А, 600 В)
• QM20TD-H (20 А, 600 В)
• QM15TD-L (аналог с меньшими потерями)

Примечания

1. Изоляция: Модуль имеет изолированный корпус, что упрощает монтаж на радиатор.
2. Защита: Рекомендуется использовать снабберные цепи для снижения выбросов напряжения.
3. Производитель: Уточните бренд (например, Mitsubishi, Fuji, или другой), так как маркировка может варьироваться.

Для точного подбора аналога проверяйте даташиты по ключевым параметрам (V_CES, I_C, V_CE(sat)).

Если вам нужна дополнительная информация (например, графики зависимостей), укажите – помогу найти!