IGBT QM200DY-2H

Описание IGBT QM200DY-2H

QM200DY-2H – это IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для высоковольтных и высокотоковых применений, таких как:

• Преобразователи частоты
• Инверторы
• Системы управления электродвигателями
• Сварочное оборудование
• Импульсные источники питания

Модуль выполнен в корпусе, обеспечивающем эффективное охлаждение и высокую надежность в тяжелых условиях эксплуатации.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|----------------------------------|
| Тип прибора | IGBT + диод (двухключевой модуль)|
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Макс. ток коллектора (I_C) | 200 А |
| Ток короткого замыкания (I_SC) | 400 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 600 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 2.5 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 80 нс |
| Время выключения (t_off) | 350 нс |
| Корпус | Изолированный (с термопрокладкой) |
| Рабочая температура | -40°C ... +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: FF200R12KE3
• Mitsubishi: CM200DY-24A
• Fuji Electric: 2MBI200U2A-120
• SEMIKRON: SKM200GB128D

Похожие модели (альтернативы с близкими параметрами):

• QM300DY-2H (300 А, 1200 В)
• QM150DY-2H (150 А, 1200 В)
• FF300R12KE3 (Infineon, 300 А)
• CM300DY-24A (Mitsubishi, 300 А)

Примечание

Перед заменой модуля рекомендуется уточнять распиновку и характеристики, так как у разных производителей могут быть отличия в конструкции и параметрах.

Если вам нужна дополнительная информация по подключению или применению – уточните детали!