IGBT QM200E2YHB

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT QM200E2YHB
Описание IGBT модуля QM200E2YHB
QM200E2YHB – это высоковольтный IGBT-модуль с диодным обратным восстановлением (RB-IGBT), предназначенный для мощных инверторных и импульсных преобразователей. Модуль обладает высокой эффективностью, низкими динамическими потерями и устойчивостью к перегрузкам, что делает его пригодным для промышленных применений:
- Преобразователи частоты (ЧРП)
- Сварочное оборудование
- Управление электродвигателями
- Возобновляемая энергетика (солнечные инверторы)
Технические характеристики
| Параметр | Значение |
|------------------------|----------|
| Тип модуля | RB-IGBT (с обратным диодом) |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В |
| Ток коллектора (IC) | 200 А (при 25°C) |
| Ток импульсный (ICM) | 400 А |
| Рассеиваемая мощность (Ptot) | 600 Вт |
| Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 1.8 В (тип.) |
| Время включения/выключения (ton/toff) | 50 нс / 200 нс |
| Термосопротивление (Rth(j-c)) | 0.12 °C/Вт |
| Температура работы | -40°C ... +150°C |
| Корпус | 62 мм (изолированный, с термодатчиком) |
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги и альтернативы:
- Infineon: FF200R12KE3, FF200R12KT3
- Mitsubishi: CM200DY-12NF
- Fuji Electric: 2MBI200U2A-120
- SEMIKRON: SKM200GB12T4
Cross-reference (по характеристикам):
- QM200DY-HB (устаревшая версия)
- QMB200E2YHB (модификация с улучшенным охлаждением)
Совместимые корпуса:
- 62-мм стандарт (аналоги: Infineon EconoPACK™, Mitsubishi N-series)
Примечания
- Охлаждение: Рекомендуется использовать термопасту и радиаторы с Rth < 0.05°C/Вт.
- Замена: При выборе аналога учитывайте распиновку и параметры динамических потерь.
- Производитель: Модуль может выпускаться под брендами Hitachi, Toshiba или их дочерних компаний.
Для точного подбора проверяйте datasheet производителя!