IGBT QM20TD-HB

Описание IGBT QM20TD-HB

QM20TD-HB – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный для применения в силовой электронике, инверторах, импульсных источниках питания и системах управления двигателями. Модуль обладает высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и хорошей термостабильностью.

Технические характеристики:

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип устройства | IGBT модуль (N-канальный) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В (возможны варианты 600 В / 1700 В) | | Макс. ток коллектора (I_C) | 20 А (при 25°C) | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | 10 А (зависит от охлаждения) | | Пиковый ток (I_CP) | 40 А | | Мощность рассеивания (P_tot) | 100–150 Вт (с радиатором) | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В (стандартное) | | Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | ~2,1 В (при 10 А) | | Время включения (t_on) | 50–100 нс | | Время выключения (t_off) | 200–400 нс | | Корпус | TO-247 / TO-3P (в зависимости от версии) | | Рабочая температура | -40°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги QM20TD-HB (прямая замена):

• Infineon: IKW20N120T2, IKW20N120H3
• STMicroelectronics: STGW20H120DF2
• Fuji Electric: 2MBI200U2A-120
• Mitsubishi: CM20DY-24H
• ON Semiconductor: NGGB20N120IHL

Совместимые модели (с проверкой распиновки):

• IR (International Rectifier): IRG4PH50UD
• Toshiba: GT20Q321

Применение:

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Управление электродвигателями

Примечание:

Перед заменой рекомендуется уточнить параметры V_CES, I_C и корпус, так как у аналогов могут быть различия в характеристиках.

Если вам нужна точная информация по конкретной версии (например, с привязкой к datasheet), уточните производителя или дополнительные параметры.