IGBT QM25TB2HB

Описание IGBT модуля QM25TB2-HB

QM25TB2-HB – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) в корпусе 25-го типоразмера, предназначенный для высоковольтных и высокочастотных преобразовательных устройств. Модуль содержит два IGBT-транзистора с антипараллельными диодами, что делает его пригодным для использования в мостовых схемах (например, полумост или инвертор).

Применяется в:

• Промышленных инверторах
• Сварочных аппаратах
• Управлении электродвигателями
• Источниках бесперебойного питания (ИБП)

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-------------------------|----------|
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток (I_C) | 25 А (при 25°C) |
| Импульсный ток (I_CP) | 50 А |
| Мощность рассеивания (P_D) | 150 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,0 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 60 нс |
| Время выключения (t_off) | 250 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C ... +150°C |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,83 °C/Вт |
| Корпус | 25-й типоразмер (изолированный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и эквиваленты:

• Infineon: FF25R12RT4, FF25R12KE3
• Mitsubishi: CM25TB-12H
• Fuji Electric: 2MBI25HB-120
• SEMIKRON: SKM25GB12T4

Похожие модули (с другими характеристиками):

• QM30TA2-HB (30A, 1200V)
• QM50HB2-HB (50A, 1200V)
• QM15TB2-HB (15A, 1200V)

Примечание

При замене модуля необходимо учитывать:

• Напряжение и токовую нагрузку
• Тип корпуса и расположение выводов
• Тепловые характеристики (возможна необходимость пересчёта системы охлаждения)

Если требуется точный аналог, рекомендуется сверяться с даташитами производителя (например, Powerex / Mitsubishi, который выпускал серию QM...TB-HB).