IGBT QM30E3YH

Описание IGBT QM30E3YH

IGBT QM30E3YH – это изолированный биполярный транзистор с MOSFET-затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике, включая инверторы, импульсные источники питания, электроприводы и системы управления мощностью.

Модуль сочетает высокую эффективность, низкие потери при переключении и хорошую температурную стабильность, что делает его подходящим для промышленных и бытовых устройств.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип транзистора | IGBT с антипараллельным диодом | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Ток коллектора (I_C) | 30 А (при 25°C) | | Ток импульсный (I_CM) | 60 А | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 150 Вт (с теплоотводом) | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В (макс.) | | Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | ~0.15 Ом | | Время включения (t_on) | ~50 нс | | Время выключения (t_off) | ~150 нс | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Корпус | TO-247 / TO-3P (в зависимости от версии) |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (зависит от производителя):

• IRG4PH50UD (International Rectifier, 600V, 45A)
• FGA30N60 (Fairchild/ON Semi, 600V, 30A)
• HGTG30N60A4D (Microsemi, 600V, 30A)
• IXGH30N60B3D1 (IXYS/Littelfuse, 600V, 30A)

Совместимые модели (по параметрам):

• STGW30NC60WD (STMicroelectronics)
• APT30GR60J (Microchip)
• NGTB30N60FL2WG (ON Semiconductor)

Применение

• Инверторы (в т.ч. для сварочных аппаратов)
• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Управление электродвигателями
• Системы UPS и солнечные инверторы

Примечание: Для точного подбора аналога рекомендуется проверять datasheet и параметры конкретного применения.