IGBT QM30HAHB

Описание IGBT QM30HA-HB

QM30HA-HB – это изолированный биполярный транзистор с MOSFET-затвором (IGBT), предназначенный для высокоэффективного управления мощностью в инверторах, преобразователях, сварочном оборудовании, промышленных приводах и других силовых электронных устройствах.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (V_CES).
• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)).
• Быстрое переключение и низкие потери.
• Встроенный свободно-колеблющий диод (FRD) для защиты от обратного напряжения.
• Изолированный корпус (обычно TO-247 или аналогичный) для удобства монтажа на радиатор.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|----------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В (или другое, уточните) | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 30 А (возможны вариации) | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | 15–20 А (зависит от охлаждения) | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~1.5–2.2 В (при номинальном токе) | | Пиковый ток (I_CM) | 60–100 А (кратковременно) | | Рассеиваемая мощность (P_D) | ~150–200 Вт (с радиатором) | | Температура перехода (T_j) | -55°C до +150°C | | Встроенный диод (FRD) | Да (если указано в datasheet) | | Корпус | TO-247 (или TO-3P, уточните) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги (зависит от параметров QM30HA-HB):

• Infineon: IKW30N60T, IKW30N60H3
• Fuji Electric: 2MBI30N-060
• Mitsubishi: CM30HA-24H
• STMicroelectronics: STGW30NC60WD
• ON Semiconductor: FGH30N60SMD

Совместимые модели (проверьте распиновку и параметры!):

• QM30HA-H (возможно, другая версия)
• QM30HA-HD
• QM30HB-HB (если отличается только током)

Примечание

Точные характеристики зависят от производителя и даташита. Для подбора аналога проверьте:

• Напряжение V_CES
• Ток I_C
• Наличие встроенного диода
• Корпус и распиновку

Если у вас есть datasheet на QM30HA-HB, уточните параметры – я дополню описание!