IGBT QM30HA-HB

IGBT QM30HA-HB
Артикул: 299543

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание IGBT QM30HA-HB

IGBT QM30HA-HB: Описание и технические характеристики

Общее описание

QM30HA-HB – это IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором) в корпусе TO-247, предназначенный для высоковольтных и высокочастотных применений. Используется в импульсных источниках питания, инверторах, сварочном оборудовании, электроприводах и других силовых электронных устройствах.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип устройства | N-канальный IGBT с диодом | | Корпус | TO-247 (3 вывода) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 600 В | | Макс. ток коллектора (IC) | 30 А (при 25°C) | | Ток коллектора (IC) | 60 А (импульсный) | | Макс. рассеиваемая мощность (PD) | 200 Вт | | Падение напряжения (VCE(sat)) | ~1,8 В (при IC = 30 А) | | Время включения (ton) | ~30 нс | | Время выключения (toff) | ~150 нс | | Температура перехода (Tj) | -55°C до +150°C | | Диод обратного восстановления (VRRM) | 600 В |

Парт-номера и совместимые аналоги

  • Прямые аналоги:
    • IRG4PH30UD (International Rectifier)
    • HGTG30N60B3 (Fairchild/ON Semiconductor)
    • FGA30N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
    • STGW30NC60WD (STMicroelectronics)
  • Близкие по параметрам:
    • IXGH30N60B3 (IXYS)
    • NGTB30N60S3WG (ON Semiconductor)

Применение

  • Инверторы и частотные преобразователи
  • Сварочные аппараты
  • Импульсные блоки питания (SMPS)
  • Управление электродвигателями

Примечание

При замене аналогами рекомендуется учитывать различия в характеристиках и схемотехнике. Для критичных применений лучше использовать оригинальный компонент или проверенный эквивалент.

Если вам нужна дополнительная информация (графики, datasheet), уточните запрос.

Товары из этой же категории