IGBT QM30HYH

Описание IGBT QM30HYH

QM30HYH — это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике: инверторах, импульсных источниках питания, системах управления двигателями и других высоковольтных/высокотоковых приложениях.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (V_CES).
• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)).
• Быстрое переключение и высокая эффективность.
• Встроенный свободно-колеблющий диод (FRD) для защиты от обратных токов.
• Изолированный корпус для удобного монтажа на радиатор.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|------------------------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) | 30 А (при 25°C) |
| Ток импульсный (I_CM) | 60 А |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | ~1.8 В (при I_C = 30 А) |
| Напряжение затвора (V_GE) | ±20 В |
| Мощность рассеивания (P_D) | 150 Вт |
| Температура перехода (T_j) | -55°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 (изолированный) |
| Встроенный диод | Да (Fast Recovery Diode) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены могут отличаться по характеристикам, поэтому рекомендуется проверять даташиты.

Прямые аналоги (похожие параметры):

• IRG4PH40UD (International Rectifier)
• FGA30N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG30N60A4D (Renesas)
• STGW30NC60WD (STMicroelectronics)

Совместимые модели в других сериях:

• QM30DY-H (аналог с другим корпусом)
• QM50HYH (более мощная версия, 50 А)

Применение

• Частотные преобразователи.
• Сварочные инверторы.
• ИБП (источники бесперебойного питания).
• Управление электродвигателями.

Для точного подбора аналога рекомендуется проверять datasheet производителя (Mitsubishi, Toshiba или других). Если известен производитель QM30HYH, уточните его для более точного подбора замен.