IGBT QM30TB-24

Описание IGBT QM30TB-24

QM30TB-24 – это IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для применения в импульсных источниках питания, инверторах, частотных преобразователях и других силовых электронных устройствах. Модуль обеспечивает высокую эффективность и надежность благодаря низким потерям при переключении и высокой термостабильности.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип устройства | IGBT-транзистор (N-канальный) |
| Клас напруги | 1200 В |
| Максимальний струм колектора (IC) | 30 А |
| Струм колектора при 100°C (IC @ 100°C) | ~20 А |
| Напруга насичення (VCE(sat)) | ~2.5 В (типове) |
| Потужність втрат (Pd) | ~200 Вт |
| Температура переходу (Tj) | -40°C до +150°C |
| Тепловий опір (Rth(j-c)) | ~0.5 °C/Вт |
| Тип корпусу | TO-247 (або подібний) |
| Затворний заряд (Qg) | ~150 нКл |
| Час перемикання (ton/toff) | ~50 нс / ~150 нс |

Парт-номера та сумісні моделі

Прямі аналоги:

• IRG4PH40UD (International Rectifier, 1200V, 30A)
• H30R1202 (STMicroelectronics, 1200V, 30A)
• FGA30N120ANTD (Fairchild/ON Semi, 1200V, 30A)
• IXGH30N120B (IXYS, 1200V, 30A)

Сумісні моделі (з близькими параметрами):

• 25-35А, 1200В:
  • QM25TB-24 (25A)
  • QM35TB-24 (35A)
  • IRG4PH50UD (50A)
  • HGTG30N120B3D (30A, 1200V, Infineon)

Примітки:

1. Перед заміною перевіряйте розведення виводів та характеристики.
2. Для оптимальної роботи рекомендується використовувати оригінальний модуль або сертифіковані аналоги.
3. Увага до теплового режиму – можливий нагрів при високих струмах.

Якщо потрібно більш точні дані, варто звернутися до даташиту виробника (наприклад, Toshiba, Mitsubishi або Infineon).