IGBT QM30TB24B

IGBT QM30TB24B: Описание и технические характеристики

Описание:

QM30TB24B — это IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором) в корпусе TO-247, предназначенный для использования в импульсных источниках питания, инверторах, сварочном оборудовании и других силовых электронных устройствах.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) | 30 А |
| Ток импульсный (I_CM) | 60 А |
| Мощность рассеивания (P_D) | 200 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | ~2,5 В (при I_C = 30 А) |
| Время включения (t_on) | ~50 нс |
| Время выключения (t_off) | ~300 нс |
| Корпус | TO-247 |
| Температура хранения/работы | -55°C до +150°C |

Альтернативные и совместимые модели (парт-номера):

• IRG4PH40UD (International Rectifier)
• FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG30N120B3D (Microsemi)
• IXGH30N120B3 (IXYS)
• STGW30NC120HD (STMicroelectronics)

Эти аналоги могут использоваться в схемах с аналогичными параметрами, но перед заменой рекомендуется проверять спецификации и условия работы.

Если вам нужна замена, уточните тип нагрузки и условия эксплуатации для более точного подбора.