IGBT QM30TB-H

Описание IGBT QM30TB-H

QM30TB-H – это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT), предназначенный для высокоэффективного управления мощностью в инверторах, импульсных источниках питания, электроприводах и других силовых электронных устройствах.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (VCES)
• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (VCE(sat))
• Быстрое переключение
• Встроенный обратный диод для защиты от обратного напряжения
• Изолированный корпус для удобства монтажа на радиатор

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|---------------------------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 600 В |
| Ток коллектора (IC) (при 25°C) | 30 A |
| Ток коллектора (IC) (при 100°C) | 15 A |
| Пиковый ток коллектора (ICM) | 60 A |
| Падение напряжения (VCE(sat)) (при IC = 30 A) | ≤ 2.2 В |
| Напряжение затвор-эмиттер (VGES) | ±20 В |
| Мощность рассеивания (Ptot) | 125 Вт |
| Температура перехода (Tj) | -55°C до +150°C |
| Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | 1.0 °C/Вт |
| Встроенный диод | Да (FRD) |
| Корпус | TO-247 (изолированный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IRG4PH40UD (International Rectifier)
• FGA30N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
• H30R1202 (Infineon)
• STGW30NC60WD (STMicroelectronics)

Похожие модели в линейке:

• QM20TB-H (20A, 600V)
• QM40TB-H (40A, 600V)
• QM30TA-H (аналог, но с другим корпусом)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Импульсные блоки питания
• Системы управления электродвигателями

Если нужна более точная замена, уточните параметры схемы (напряжение, ток, частота переключений).