IGBT QM50DX-H

Описание IGBT QM50DX-H

QM50DX-H — это изолированный биполярный транзистор с MOSFET-затвором (IGBT), предназначенный для высокоэффективного управления мощностью в инверторах, импульсных источниках питания, электроприводах и других силовых электронных устройствах.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|-------------------------------| | Тип транзистора | IGBT (N-канальный) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Макс. ток коллектора (I_C) | 50 А (при 25°C) | | Макс. импульсный ток (I_CM) | 100 А | | Рассеиваемая мощность (P_D) | 300 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~1.8 В (при 25 А) | | Время включения (t_on) | ~35 нс | | Время выключения (t_off) | ~150 нс | | Рабочая температура | -55°C ... +150°C | | Корпус | TO-247 (изолированный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA50N60SMD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG50N60C3 (Microsemi)
• STGW50H60DF (STMicroelectronics)

Совместимые модули (если используется в составе сборки):

• FP50R06KE3 (Infineon)
• Mitsubishi CM50DY-12H

Применение

• Преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• Импульсные блоки питания
• Управление электродвигателями

Если вам нужна более точная информация по конкретному производителю или даташит, уточните модель (например, от Toshiba, Infineon и др.), так как QM50DX-H может быть частью различных линейок.