IGBT QM50DY-2H

Описание IGBT QM50DY-2H

QM50DY-2H – это изолированный биполярный транзистор с MOSFET-управлением (IGBT), предназначенный для высокоэффективного управления мощностью в импульсных преобразователях, инверторах, сварочных аппаратах и других силовых электронных устройствах.

Ключевые особенности:

• Высокая скорость переключения
• Низкие потери проводимости
• Встроенный быстрый диод (антипараллельный) для защиты от обратного напряжения
• Изолированный корпус (TO-3P) для удобства монтажа на радиатор

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|----------------------------------|
| Тип устройства | IGBT с диодом |
| Корпус | TO-3P (изолированный) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Макс. ток коллектора (I_C) | 50 А (при 25°C) |
| Пиковый ток (I_CM) | 100 А |
| Рассеиваемая мощность (P_D) | 200 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,1 В (при I_C = 50 А) |
| Время включения (t_on) | 50 нс |
| Время выключения (t_off) | 200 нс |
| Температура перехода (T_j) | от -55°C до +150°C |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,83 °C/Вт |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от других производителей:

• Infineon: IKW50N60T (600 В, 50 А, TO-247)
• Fuji Electric: 2MBI50N-060 (600 В, 50 А, модуль)
• Mitsubishi: CM50DY-12H (600 В, 50 А, модуль)
• STMicroelectronics: STGW50NC60WD (600 В, 50 А, TO-247)

Прямые аналоги (в том же корпусе TO-3P):

• QM30DY-2H (30 А, 600 В)
• QM75DY-2H (75 А, 600 В)
• QMH50DY-2H (аналог с улучшенными характеристиками)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Импульсные блоки питания
• Системы управления двигателями

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять даташит и сравнивать параметры, особенно V_CES, I_C и тип корпуса.

Нужна дополнительная информация? Готов помочь!