IGBT QM50DYHB

Описание IGBT QM50DYHB

QM50DYHB – это IGBT-транзистор с интегрированным ультрабыстрым диодом, предназначенный для высокоэффективных преобразователей энергии, импульсных источников питания, инверторов и других силовых электронных устройств. Модуль обеспечивает высокую надежность, низкие потери проводимости и переключения, а также хорошую тепловую стабильность.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (V_CES = 600 В)
• Большой ток коллектора (I_C = 50 А)
• Интегрированный ультрабыстрый антипараллельный диод
• Низкое падение напряжения (V_CE(sat))
• Высокая стойкость к перегрузкам
• Корпус TO-247 (или аналогичный) для эффективного теплоотвода

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------------|-------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 50 А | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | 25 А | | Максимальный импульсный ток (I_CM) | 100 А | | Падение напряжения V_CE(sat) (тип.) | 1,8 В | | Время включения (t_on) | 30 нс | | Время выключения (t_off) | 100 нс | | Интегрированный диод (FRD) | Да | | Обратное напряжение диода (V_RRM) | 600 В | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,5 °C/Вт | | Корпус | TO-247 (3-выводной) | | Рабочая температура | -55°C … +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IRG4PC50UD (International Rectifier)
• FGA50N60SMD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG50N60B3 (Microsemi)
• STGW50NC60WD (STMicroelectronics)

Похожие модели:

• QM50DY-HB (возможна другая маркировка)
• QM50DY-2H (версия с улучшенными характеристиками)
• 50MT60 (аналог от Mitsubishi)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Управление электродвигателями
• Солнечные инверторы

Если нужны дополнительные аналоги или спецификации – уточните производителя и условия замены.