IGBT QM50E3Y2H

Описание IGBT QM50E3Y2H

QM50E3Y2H – это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT), предназначенный для высокоэффективных силовых приложений. Он обладает низкими потерями проводимости и переключения, что делает его подходящим для инверторов, импульсных источников питания, сварочного оборудования и других систем управления мощностью.

Модуль имеет встроенный обратный диод (FRD), что обеспечивает защиту от обратных токов. Корпус обеспечивает хорошее теплоотведение и электрическую изоляцию.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C @25°C): 50 А
• Ток коллектора (I_C @100°C): 25 А
• Ток импульсный (I_CM): 100 А
• Рассеиваемая мощность (P_tot): 200 Вт
• Напряжение затвор-эмиттер (V_GE): ±20 В (макс.)
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): 2,1 В (тип.)
• Время включения (t_on): 35 нс
• Время выключения (t_off): 110 нс
• Температура перехода (T_j): -40°C до +150°C

Встроенный диод (FRD):

• Прямое напряжение (V_F): 1,7 В (тип.)
• Время восстановления (t_rr): 120 нс

Тепловые параметры:

• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0,5 °C/Вт
• Корпус: TO-247 или аналогичный

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и заменители:

• Infineon: IKW50N120T2
• Fuji Electric: 2MBI50U4H-120
• Mitsubishi: CM50E3Y-12H
• STMicroelectronics: STGW50NC60WD
• IXYS: IXGH50N120B3

Похожие модели (с другими параметрами):

• QM30E3Y2H (30A, 1200V)
• QM75E3Y2H (75A, 1200V)
• QM50E2Y2H (50A, 600V)

Применение

• Преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• Импульсные блоки питания
• Управление электродвигателями
• Солнечные инверторы

Если нужны дополнительные параметры (такие как графики зависимостей или точные электрические характеристики), уточните — предоставлю более детальную информацию.