IGBT QM50HGH

Описание IGBT QM50HGH

IGBT QM50HGH – это мощный биполярный транзистор с изолированным затвором, предназначенный для высоковольтных и высокочастотных применений. Основные сферы использования:

• Инверторы и преобразователи
• Системы управления двигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Промышленное оборудование
• Сварочные аппараты

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) | 50 А |
| Ток импульсный (I_CM) | 100 А |
| Мощность рассеивания (P_D) | 200 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Включение / выключение (t_on / t_off) | 50 нс / 150 нс |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.63 °C/Вт |
| Корпус | TO-247 (3-контактный) |
| Температурный диапазон | -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от других производителей:

• Infineon: IKW50N60T
• Fuji Electric: 2MBI50N-060
• Mitsubishi: CM50DY-24H
• STMicroelectronics: STGW50H60DF
• Toshiba: MG50Q6ES40

Совместимые модели (по характеристикам):

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• HGTG50N60B3 (Fairchild)
• NGTB50N60FL2WG (ON Semiconductor)

Рекомендуемая замена в схемах:

• QM50HG (более ранняя версия)
• QM50GH-2H (модифицированный вариант)

Примечание

При замене IGBT QM50HGH аналогами необходимо учитывать:

• Совпадение напряжения и тока
• Параметры переключения
• Условия теплоотвода (корпус TO-247 требует качественного охлаждения)

Если требуется точная замена, лучше использовать оригинальный номер производителя или проверенные аналоги с аналогичными характеристиками.