IGBT QM50HYH

Описание IGBT QM50HYH

QM50HYH – это IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором), разработанный для мощных импульсных преобразователей, инверторов и других силовых электронных устройств. Модуль сочетает высокую эффективность, низкие потери при переключении и устойчивость к перегрузкам.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | IGBT + диод (NPT-технология) |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) | 50 А (при 25°C) |
| Импульсный ток (I_CM) | 100 А |
| Мощность рассеивания (P_D) | 200 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Время включения (t_on) | 80 нс |
| Время выключения (t_off) | 200 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 (3-выводной) |

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги (совместимые модели):

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• HGTG20N120BND (Fairchild/ON Semiconductor)
• FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• IXGH50N120B3 (IXYS/Littelfuse)

Похожие модели (с другими параметрами, но совместимые в некоторых схемах):

• IRG4PC50UD (600 В, 55 А)
• FGA50N65SMD (650 В, 50 А)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочное оборудование
• Управление электродвигателями

Если нужны более точные аналоги или специфические параметры, уточните условия применения.