IGBT QM50TB-2H

Описание IGBT QM50TB-2H

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) модуль QM50TB-2H – это мощный полупроводниковый прибор, предназначенный для высокочастотных коммутационных процессов в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и других силовых электронных устройствах. Модуль имеет встроенный обратный диод, обеспечивающий защиту от перенапряжений.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-------------------------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) | 50 А |
| Ток импульсный (I_CM) | 100 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 200 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 2.5 В (при 50 А) |
| Время включения (t_on) | 60 нс |
| Время выключения (t_off) | 200 нс |
| Диапазон рабочих температур | -40°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 (или аналогичный) |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги и парт-номера:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA50N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG50N120BN (Microsemi)
• IXGH50N120B3 (IXYS)
• STGW50NC120HD (STMicroelectronics)

Совместимые модели (по характеристикам и корпусу):

• QM75TB-2H (75 А, 1200 В, более мощный аналог)
• QM30TB-2H (30 А, 1200 В, менее мощный вариант)
• SKM50GB12T4 (Semikron, аналогичный модуль)

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы и UPS
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• Солнечные инверторы

Если вам нужна дополнительная информация по замене или аналогам, уточните параметры вашей схемы.