IGBT QM75DY

IGBT QM75DY: Описание и технические характеристики

Описание:
IGBT QM75DY — это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных применений. Модуль обладает низкими коммутационными потерями и высокой перегрузочной способностью, что делает его пригодным для использования в инверторах, частотных преобразователях, сварочных аппаратах и других силовых электронных устройствах.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|-------------------------|----------|
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C) | 75 А |
| Пиковый ток коллектора (I_CM) | 150 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,5 В (при 75 А) |
| Время включения (t_on) | 80 нс |
| Время выключения (t_off) | 400 нс |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,25 °C/Вт |
| Максимальная рабочая температура (T_j) | 150 °C |
| Корпус | TO-247 (или аналогичный) |

Парт-номера и совместимые модели:

• Оригинальный номер: QM75DY
• Аналоги и замены:
  • Infineon: IKW75N120T2
  • Fuji Electric: 2MBI75N-120
  • Mitsubishi: CM75DY-24H
  • STMicroelectronics: STGW75HF120W
  • IXYS: IXGH75N120B3

Применение:

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Импульсные источники питания
• Управление электродвигателями

Примечание:
При замене модуля следует учитывать не только электрические параметры, но и тепловые характеристики, а также особенности схемы управления затвором.