IGBT QM75TF-H

Описание IGBT QM75TF-H

QM75TF-H – это изолированный биполярный транзистор с MOSFET-затвором (IGBT), предназначенный для высокоэффективных силовых приложений, таких как:

• Инверторы и преобразователи частоты
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Системы управления электродвигателями
• Сварочное оборудование
• Солнечные инверторы

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (V_CES)
• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat))
• Быстрое переключение и низкие потери
• Встроенный диод обратного хода (антипараллельный)
• Изолированный корпус для удобного монтажа на радиатор

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|----------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В / 1200 В (уточнить в даташите) | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 75 А (максимальный) | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | ~40 А (с поправкой на нагрев) | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,8–2,5 В (тип.) | | Время включения (t_on) | ~50 нс | | Время выключения (t_off) | ~150 нс | | Корпус | TO-247, TO-3PN или аналогичный (уточнить) | | Рабочая температура | от -40°C до +150°C |

(Точные значения зависят от производителя и даташита. Рекомендуется уточнять спецификации.)

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены (cross-reference):

• Infineon: IKW75N65EH5, IKW75N60T
• Fuji Electric: 2MBI75S-120
• Mitsubishi: CM75TU-24H
• SEMIKRON: SKM75GB12T4
• STMicroelectronics: STGW75HF60WD

Совместимые модели (по характеристикам):

• IRG4PH50UD (International Rectifier, 55 А, 1200 В)
• HGTG30N60B3 (Fairchild/Renesas, 30 А, 600 В) – для меньших токов
• FGA25N120ANTD (Fairchild, 25 А, 1200 В)

Примечание

Рекомендуется проверять даташит перед заменой, так как параметры (особенно токи, напряжение и тип корпуса) могут отличаться. Для точной замены лучше использовать оригинальный номер (QM75TF-H).

Если у вас есть доступ к даташиту или производитель (например, Toshiba, Mitsubishi, Infineon), уточните точные параметры.