IGBT Qty-20

Описание и технические характеристики IGBT (Количество: 20 шт.)

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) – это мощный полупроводниковый прибор, сочетающий преимущества MOSFET (высокое быстродействие) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Применяется в инверторах, частотных преобразователях, сварочных аппаратах, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах.

Технические характеристики (общие)

• Тип корпуса: TO-247, TO-264, TO-3P (в зависимости от модели)
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600В, 1200В, 1700В (или другое, в зависимости от модели)
• Ток коллектора (I_C): от 10А до 200А (зависит от модели)
• Максимальная мощность рассеивания (P_tot): 100–500Вт
• Температура эксплуатации: -40°C до +150°C
• Скорость переключения: от 0.1 мкс до 1 мкс

Популярные парт-номера IGBT (примеры)

1. Infineon:

   • IKW40N65H5
   • IKW75N60T
   • FF450R12ME4

2. Fuji Electric:

   • 2MBI100U4A-060
   • 6MBI50VA-060

3. Mitsubishi:

   • CM600DU-24NFH
   • CM100DY-24H

4. STMicroelectronics:

   • STGW40H65DFB
   • STGP20H60DF

5. ON Semiconductor:

   • FGH40N60SMD
   • NGGB50N65FL2WG

Совместимые модели и аналоги

Для замены IGBT необходимо учитывать:

• Напряжение V_CES
• Ток I_C
• Корпус и распиновку

Примеры аналогов:

• Infineon IKW40N65H5 → STMicroelectronics STGW40H65DFB
• Fuji 2MBI100U4A-060 → Mitsubishi CM100DY-24H
• ON FGH40N60SMD → Infineon IKW40N60H3

Применение

• Преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• Импульсные блоки питания
• Управление электродвигателями

Если у вас есть конкретные парт-номера, можно уточнить полные характеристики и аналоги.