IGBT RJH60D3DPP

Описание IGBT RJH60D3DPP

RJH60D3DPP – это IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором), разработанный для мощных импульсных преобразователей, инверторов и других силовых электронных устройств. Модуль обладает высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и высокой температурной стабильностью.

Технические характеристики

• Тип: IGBT + диод (NPT-технология)
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В
• Ток коллектора (I_C): 60 А (при 25°C)
• Ток импульсный (I_CM): 120 А
• Рассеиваемая мощность (P_D): 200 Вт
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 2.1 В (при I_C = 60 А)
• Время включения/выключения (t_on/t_off): 80 нс / 320 нс
• Температура перехода (T_j): от -40°C до +150°C
• Корпус: TO-247 (3-выводной)

Эквиваленты и совместимые модели

Прямые аналоги и замены:

• IRG4PH50UD (International Rectifier, 600V, 50A)
• HGTG30N60A4 (ON Semiconductor, 600V, 60A)
• FGA60N65SMD (Fairchild/ON Semi, 650V, 60A)
• STGW60H65DFB (STMicroelectronics, 650V, 60A)

Парт-номер (Part Number) и варианты маркировки

В зависимости от производителя, может встречаться в следующих вариантах:

• RJH60D3DPP-M0#A0 (версия с улучшенными параметрами)
• RJH60D3DPP-T0#K0 (для промышленного применения)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Управление электродвигателями

Если вам нужен точный аналог, рекомендуется сверять datasheet по ключевым параметрам (V_CES, I_C, корпус). Некоторые аналоги могут иметь отличия в скорости переключения или тепловых характеристиках.

Нужна дополнительная информация по заменам или схемам применения?