IGBT RJP30H1

Описание IGBT RJP30H1

RJP30H1 – это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT), предназначенный для высокоэффективного переключения в силовых электронных устройствах. Применяется в инверторах, импульсных источниках питания, системах управления двигателями и других схемах, требующих высокого напряжения и тока.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) | 30 А |
| Ток импульсный (I_CM) | 60 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 100 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Пороговое напряжение затвора (V_GE(th)) | 4–6 В |
| Время включения (t_on) | 30 нс |
| Время выключения (t_off) | 100 нс |
| Корпус | TO-3P(N) |
| Температура хранения/работы | -55°C до +150°C |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные аналоги (Renesas)

• RJP30H1DPP (модификация с улучшенными параметрами)
• RJP30H1DPM

Совместимые модели от других производителей

• IRG4PH40UD (International Rectifier)
• FGA30N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
• STGW30H60DF (STMicroelectronics)
• HGTG30N60B3 (Microsemi)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Сварочное оборудование
• Управление электродвигателями

Если требуется более точный выбор аналога, рекомендуется сверяться с даташитами и учитывать параметры схемы.