IGBT RJP30H2

Описание IGBT RJP30H2

RJP30H2 – это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике. Этот компонент обеспечивает высокую эффективность, низкие потери при переключении и хорошую температурную стабильность. Используется в инверторах, источниках питания, электроприводах и других устройствах управления мощностью.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) | 30 А (при 25°C) |
| Ток импульсный (I_CM) | 60 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~1.8 В (при 15 А) |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 100 Вт |
| Температура перехода (T_j) | -55°C до +150°C |
| Скорость переключения | Высокая (частота до десятков кГц) |
| Корпус | TO-3P (изолированный) |
| Встроенный диод | Да (быстрый обратный диод) |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги:

• RJP30H1 (аналог с меньшим напряжением)
• RJP30H3 (аналог с улучшенными параметрами)
• IRG4PH40UD (International Rectifier)
• FGA30N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG30N60A4D (Renesas)

Совместимые модели (по характеристикам и корпусу):

• STGW30H60DF (STMicroelectronics)
• IXGH30N60B (IXYS)
• APT30GR60J (Microchip Technology)

Если вам нужен точный аналог, рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметров, особенно встроенного диода и характеристик переключения.

Нужна дополнительная информация? Готов помочь!